原子逐一構建新型晶體薄膜材料，電子移動速度比傳統半導體快 7 倍

利用一種稱為三元輝碲鉍礦（ternary tetradymite）的晶體，科學家開發出極薄的新晶體薄膜半導體，能使電子移動速度比傳統半導體快 7 倍，可能對電子設備產業產生巨大影響。

當團隊將晶體薄膜置於極冷環境，向薄膜施加電流測量材料電子移動率，記錄到電子以破紀錄速度移動，達 10,000 cm^2/Vs；相較之下，電子在標準矽半導體的移動速度約 1,400 cm^2/Vs，在傳統銅線中的移動速度則更慢。